NAND Flash
结构
NAND Flash 分如下层次：
- Package/Chip
- Die
- Plane
- Block：Erase 的粒度
- Page：Program/Read 的粒度
Erase：把整个 Block 的数据写成全 1
Program：把 Page 的某些 1 改写成 0，但不能把 0 改写成 1
物理上：Erase 把电压变成最低，对应 1，Program 把电压抬高，把 1 变成 0。
MLC：2 bit per cell，有四种电压。
TLC：3 bit per cell，有八种电压。