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NAND Flash

结构

NAND Flash 分如下层次:

  • Package/Chip
  • Die
  • Plane
  • Block:Erase 的粒度
  • Page:Program/Read 的粒度

Erase:把整个 Block 的数据写成全 1

Program:把 Page 的某些 1 改写成 0,但不能把 0 改写成 1

物理上:Erase 把电压变成最低,对应 1,Program 把电压抬高,把 1 变成 0。

MLC:2 bit per cell,有四种电压。

TLC:3 bit per cell,有八种电压。

参考文献

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